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INN030FQ015A 是英諾賽科 (Innoscience) 推出的一款 30V GaN (氮化鎵) 增強(qiáng)型功率晶體管。它同樣采用英諾賽科先進(jìn)的 8 英寸硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術(shù)制造，針對(duì)低壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，具有卓越的性能和可靠性，非常適合各種低壓電源和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

關(guān)鍵特性和優(yōu)勢(shì)

30V 耐壓: 適用于低壓電源應(yīng)用，例如 DC-DC 電源、負(fù)載開關(guān)、無線充電等。
增強(qiáng)型 (e-mode) GaN 器件: 增強(qiáng)型 GaN 晶體管具有常關(guān)特性 (normally-off)，簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)可靠性。
極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)): 1.5 mΩ (典型值)。 這是該器件的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一。 極低的導(dǎo)通電阻能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高電源效率，并且降低器件的發(fā)熱。
低柵極電荷 (Qg): 降低開關(guān)損耗。
高開關(guān)速度 (High Switching Speed): GaN 材料的固有特性使其具有比傳統(tǒng)硅器件更高的開關(guān)速度。 這使得電源能夠以更高的頻率運(yùn)行，從而減小了元件尺寸和重量，并提高了功率密度。
無反向恢復(fù)電荷 (Qrr = 0): GaN 器件沒有反向恢復(fù)電荷，消除了由反向恢復(fù)引起的損耗和噪聲，進(jìn)一步提高了電源效率和可靠性。
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn): 符合歐盟 RoHS 指令，不含有害物質(zhì)，環(huán)保安全。
封裝: WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)。 這是一種非常小巧的封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)極高的功率密度。

主要應(yīng)用：

高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

蓄電池充電器

電池管理系統(tǒng)

筆記本

工業(yè)

INN030FQ015A_Datasheet_Rev1.0_20231227.pdf