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- 2025-06-17基于英諾賽科GaN的240W PD3.1快充參考設(shè)計(jì)
隨著電子設(shè)備對充電功率的需求日益增長，快充技術(shù)也變得愈發(fā)重要。英諾賽科，作為GaN功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，針對這一市場趨勢，推出了基于其高性能GaN器件的24
- 2025-06-11英特爾代工業(yè)務(wù)巨虧 股東起訴詐欺被法院駁回
英特爾近年來在代工業(yè)務(wù)上遭遇重大挫折，巨額虧損讓股東們大為不滿。部分股東指控英特爾管理層存在欺詐行為，他們認(rèn)為公司隱瞞了代工業(yè)務(wù)的真實(shí)財(cái)務(wù)狀況和經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)，導(dǎo)致股
- 2025-06-10英諾賽科氮化鎵引擎 驅(qū)動半導(dǎo)體升級
英諾賽科自2015年起專注于氮化鎵（GaN）芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，致力于以創(chuàng)新技術(shù)重塑行業(yè)?？偛课挥谥袊K州，公司通過垂直整合的IDM模式，實(shí)現(xiàn)了從襯底到器件的全
- 2025-06-04雙向氮化鎵 (GaN) 單芯片方案革新電源管理
在當(dāng)今電子設(shè)備日益小型化、高性能化的趨勢下，如何提升電源管理效率、降低系統(tǒng)復(fù)雜度和成本，成為了行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。英諾賽科推出的雙向氮化鎵 (VGaN) 產(chǎn)品，憑借
- 2025-06-03臺積電的3納米芯片在功耗方面有何改進(jìn)？
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，芯片的功耗效率是衡量其先進(jìn)性的關(guān)鍵指標(biāo)之一。隨著設(shè)備功能日益強(qiáng)大，如何在提供更高性能的同時(shí)降低能耗，是半導(dǎo)體制造商面臨的重要挑戰(zhàn)。作為全球半導(dǎo)
- 2025-05-212025英諾賽科代理商大會：新技術(shù)發(fā)布+政策解讀
作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新力量，英諾賽科（Innoscience）的每一步動向都備受矚目，特別是其年度代理商大會，更是連接公司與全球渠道伙伴、共謀市場發(fā)展的重要平
- 2025-05-20意法半導(dǎo)體微控制器 提升智能家居能效的關(guān)鍵
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，智能家居設(shè)備正以前所未有的速度普及。從智能照明、溫控系統(tǒng)到安防傳感器和智能鎖，各種設(shè)備讓生活更加便利舒適。然而，智能設(shè)備的普及也帶來了
- 2025-05-19INN650TA04在高溫高濕環(huán)境下的失效模式
在功率半導(dǎo)體器件，特別是在新能源、快速充電等對可靠性要求極高的領(lǐng)域，環(huán)境適應(yīng)性測試是產(chǎn)品驗(yàn)證的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。高壓功率器件，如文中所述的類似INN650TA04的器件
- 2025-05-15臺積電的3納米制程與5納米制程相比有哪些性能提升？
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，每一次制程節(jié)點(diǎn)的微縮都意味著技術(shù)的巨大飛躍，它直接關(guān)系到芯片的性能、功耗和成本。作為全球領(lǐng)先的晶圓代工廠，臺積電的先進(jìn)工藝制程更是行業(yè)關(guān)注的焦
- 2025-05-14成本分析：200W PD快充方案BOM清單（含代理價(jià)格）
隨著高功率USB PD（Power Delivery）快充技術(shù)的普及，200W級別的充電器正成為筆記本電腦、高性能平板以及多設(shè)備同時(shí)充電等場景的重要電源解決方案
