熱點資訊
聯(lián)系方式
- 手機(jī)：181-4585-5552
- 電話：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 郵箱：alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
拆解華為手機(jī)：中國半導(dǎo)體僅落后臺積電3年？
作者：admin 發(fā)布時間：2024-09-09 11:35:00 點擊量：
根據(jù)日本TechanaLye的分析，中國的芯片技術(shù)僅比全球領(lǐng)先的臺積電落后三年。華為最新的Pura 70 Pro手機(jī)中，除了存儲芯片和傳感器之外，還搭載了支撐攝像頭、電源、顯示屏功能的共37個半導(dǎo)體。其中，海思半導(dǎo)體承擔(dān)14個，其他中國企業(yè)承擔(dān)18個，從中國以外的芯片來看，只有韓國SK海力士的DRAM、德國博世的運動傳感器等5個。實際上，86%的半導(dǎo)體產(chǎn)自中國。
盡管美國對用于人工智能的尖端半導(dǎo)體實施了嚴(yán)格管制，但中國仍在穩(wěn)步提升量產(chǎn)技術(shù)。中芯國際的7納米制程表現(xiàn)與臺積電的5納米制程相當(dāng)，顯示出中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)步。美國的管制雖然放緩了中國的技術(shù)發(fā)展，卻也加速了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主化。
推薦產(chǎn)品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 激光雷達(dá)電源模塊INN100W135A-Q驅(qū)動電路布局要點2025-06-20
- 基于英諾賽科GaN的240W PD3.1快充參考設(shè)計2025-06-17
- 英特爾代工業(yè)務(wù)巨虧 股東起訴詐欺被法院駁回2025-06-11
- 英諾賽科氮化鎵引擎 驅(qū)動半導(dǎo)體升級2025-06-10
- 雙向氮化鎵 (GaN) 單芯片方案革新電源管理 2025-06-04
- 臺積電的3納米芯片在功耗方面有何改進(jìn)？2025-06-03
